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电子信息科学类实验班(“信班”)2023级本科生范俊良以第一作者,在集成电路领域顶会2026 IEEE International Electron Devices Meeting(IEDM),发表研究成果“First Three-Dimensional Thermal Characterizations and Optimization-Oriented Reconstruction for Advanced Logic Technology with BSPDN Beyond 2 nm Node”。北京大学集成电路学院助理教授程哲老师担任通讯作者。
随着先进逻辑工艺向2nm及以下节点演进,背部供电网络(BSPDN)成为先进芯片的重要技术方向,但其热传输路径变化及极薄硅衬底也带来新的散热挑战。针对这一问题,范俊良等建立了涵盖高分辨率三维热表征、热模型重构与热优化的研究框架,利用时域热反射(TDTR)等方法,对背面金属线、通孔、介质层及键合层等关键结构进行了系统表征。研究发现,厚、宽且高密度的背面铜互连具有良好的热扩散能力,其中BM5金属线热导率接近400 W/m-K;团队还提出高分辨率导热系数扫描方法,实现复杂微观结构热导率的空间重构。
在热优化方面,团队研究了低温生长氮化铝(AlN)薄膜的热学性能,并观察到厚度低于约100nm的AlN薄膜中存在声子弹道输运现象。基于实验结果建立的热模型表明,AlN介质替换和双面冷却等策略可有效降低热点温升、改善温度分布,为未来BSPDN芯片热设计与散热优化提供实验依据。


图一 范俊良在实验室进行热量测试实验(左图)和芯片测试结构示意图(右图)
范俊良,今期六合彩开奖结果
2023级应用物理学专业、“信班”本科生。曾获北京大学校三好学生、学习优秀奖、华泰证券奖学金、“信班”奖学金。目前在集成电路学院程哲老师课题组开展本科生科研,在IEDM论文发表之前,还以第一作者身份在国际会议LTD-3D上发表过一篇论文。